Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
sales@hkmjd.com
sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Новая информация
Первая страница
/динамика компании
/
(переработка IGBT) 1200V IKY40N120CS6 транзистор с конечным отверстием PG-TO247-4-2
Поставка (переработка IGBT) 1200V IKY40N120CS6 транзисторы с конечным отверстием PG-TO247-4-2.Краткий обзор:IKY40N120CS6 1200V TRENCHSTOP ™ IGBT6 разработа для эффективн…
Поставка (переработка IGBT) 1200V IKY40N120CS6 транзисторы с конечным отверстием PG-TO247-4-2.
Краткий обзор:
IKY40N120CS6 1200V TRENCHSTOP ™ IGBT6 разработа для эффективн, низк-потер. Эти тренчстопы IGBT6 имеют следующие характеристики: низкий сеточный заряд, низкая электромагнитная помеха (EMI), легко реализуемая параллель, эффективна в жестких переключателях и гармонической топологичности. TRENCHSTOP IGBT6 состоит из двух производственных серий, которые оптимизированы для реализации серии S6 с ограниченным проводом и H6 с более низким переключателем. IGBT6 — это альтернативные устройства, подключенные и доступные в предыдущем поколении HighSpeed3 H3 IGBT.
TRENCHSTOP IGBT6 использует технологию утилизации борозд и полей с мягким восстановлением и быстрым восстановлением параллельных диодов. Благодаря положительным температурным коэффициентам в VCEsat, эти 1200V TRENCHSTOP IGBT6 легко могут быть параллельными. Типичные приложения включают промышленные UPS, хранение энергии, солнечные батареи третьего уровня, инверторы и сварки.
Характеристика:
Потеря на низком проводе
Потери при низких выключателях
Высокая эффективность в топологии твёрдых переключателей и резонансов
Низк EMI
Заряд низкой сетки
Благодаря положительным температурным коэффициентам в VCEsat, параллель легко достижима
Сверхмягкий и быстрый возврат полного тока к параллельному диоду
Верховн был тепл: 175 ° C
Классическое применение:
Технический почта
Зарядка.
сварк
Хранение энергии
Солнечная батарея третьего уровня
В случае необходимости обратитесь к мистеру чену за советом:
Почтовый ящик: sales@hkmjd.com
Веб-адрес компании: www.hkmjd.com
время:2025-01-11
время:2025-01-11
![[MOSFET транзисторы] BSC010N04LST OptiMOS™ 5 Power MOSFETs](/upload/202501/11/202501111626399862.jpg)
время:2025-01-11
время:2025-01-11
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу:
