Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

С точки зрения использования чипы автомобильного класса можно разделить на три категории: функциональные чипы, силовые полупроводники и датчики.

Функциональные микросхемы, также известные как блоки микроконтроллеров, используются для поддержания нормальной работы различных системных функций, таких как автомобильные электронные системы управления, информационно-развлекательные системы, системы трансмиссии и системы движения транспортных средств.

Силовые полупроводники являются основными компонентами силовых электронных устройств для реализации преобразования энергии и управления цепями.Они в основном используются в преобразовании частоты, выпрямлении, преобразовании напряжения, масштабировании мощности, регулировании мощности и других сценариях.Автомобильные силовые полупроводники в основном используются в автомобильном управлении мощностью систем, систем освещения и впрыска топлива, безопасности шасси и других систем, транспортным средствам на новых источниках энергии требуется большое количество силовых полупроводников для выполнения требований к частому преобразованию напряжения транспортного средства.

Автомобильный датчик является устройством ввода автомобильной компьютерной системы, его функция заключается в преобразовании информации о различных рабочих условиях во время эксплуатации автомобиля, таких как скорость автомобиля, температура различных сред и условия работы двигатель, в электрические сигналы и отправить их на компьютер.

Моя страна является крупнейшим в мире рынком автомобилей, работающих на новых источниках энергии.С постоянным увеличением проникновения отечественных электромобилей и гибридных автомобилей рыночный спрос на силовые полупроводники также растет.

В настоящее время силовые полупроводники, используемые в транспортных средствах на новой энергии, в основном представляют собой IGBT и MOSFET, которые представляют собой материалы на основе кремния. материал карбид кремния будет использоваться в энергетике Рынок полупроводников «демонстрирует свои таланты».

По сравнению с традиционными материалами на основе кремния, полупроводниковые материалы третьего поколения, представленные карбидом кремния, имеют лучшие характеристики в высоковольтных системах.Ожидается, что в будущем силовые полупроводники на основе карбида кремния постепенно заменят некоторые силовые полупроводники на основе кремния, такие как IGBT и МОП-транзисторы.

Согласно недавнему исследованию, проведенному TrendForce, компанией, занимающейся исследованиями глобального рынка, объем выпуска силовых полупроводников третьей категории вырастет с 980 млн долларов США в 2021 году до 4,71 млрд долларов США в 2025 году, а совокупный годовой темп роста составит 48%. Ожидается, что к 2025 году объем производства силовых полупроводников из карбида кремния вырастет до 3,39 млрд долларов США.