Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС

Первая страница /Профессиональная информация /

Чтобы справиться с нехваткой памяти: Samsung разрабатывает новую версию 1b нм DRAM с нуля

Чтобы справиться с нехваткой памяти: Samsung разрабатывает новую версию 1b нм DRAM с нуля

Источник:этот сайтвремя:2025-01-22количество просмотров:

21 января корейское издание ETNews сообщило, что компания Samsung Electronics решила разработать новую версию 1b нм DRAM с нуля в конце 2024 года, одновреме…

21 января корейское издание ETNews сообщило, что компания Samsung Electronics решила разработать новую версию 1b нм DRAM с нуля в конце 2024 года, одновременно улучшив существующий 1b нм техпроцесс, чтобы справиться с двойной проблемой, связанной с выходом и производительностью 12-нм DRAM-памяти.


Новый проект 12-нм техпроцесса DRAM, получивший название D1B-P (примечание: P - сокращение от Prime), нацелен на повышение энергоэффективности и эффективности теплоотвода, что соответствует логике наименования предыдущего улучшенного техпроцесса шестого поколения V-NAND компании Samsung - V6P.

QQ图片20250122103215.png

▲ DDR5 32 Гб от Samsung Electronics на базе существующего 12-нм техпроцесса


Samsung объявила о завершении разработки и массового производства DDR5 DRAM по 12-нм техпроцессу в декабре 2022 года и мае 2023 года, однако это поколение техпроцесса оказалось неуспешным в таких ключевых областях, как LPDDR5x, а подразделение DS компании Samsung даже потеряло позицию начального поставщика памяти для мобильных телефонов серии Galaxy S25 в подразделении MX.


Кроме того, на момент принятия решения о запуске проекта D1B-P производительность существующего 12-нм техпроцесса DRAM составляла всего около 60 %, что гораздо ниже 80-90 %, необходимых для массового производства в отрасли.


Согласно отчету, Samsung Electronics заказала необходимое оборудование для проекта D1B-P в конце 2024 года, а массовое производство ожидается в 2025 году, причем самый ранний срок запуска - второй-третий квартал этого года.

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler