Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Пятое поколение высокоскоростной серии - IKW75N65EH5 - высокоскоростной 650 В жестко переключаемый IGBT TRENCHSTOP™ 5 с RAPID 1 Fast Soft Inverted Parallel Diode в корпусе TO-247, определяемый как «лучший в своем классе» IGBT.

Описание:

IKW75N65EH5 - это 650 В, 75 А IGBT с быстрым мягким обратным параллельным диодом в корпусе TO-247. Он отличается низкими потерями на переключение, высоким КПД и температурной стабильностью для средне- и высокочастотных инверторов, солнечных батарей и других приложений.

Характеристики:

650 В пробивное напряжение

По сравнению с лучшей в своем классе высокоскоростной серией 3

Qg снижен в 2,5 раза

Коммутационные потери снижены в 2 раза

На 200 мВ ниже VCEsat

Совместная упаковка с технологией быстрых Si-диодов

Низкий COES/EOSS

Умеренный положительный температурный коэффициент VCEsat

Температурная стабильность Vf

Технические характеристики:

Серия: TrenchStop™  

Упаковка: трубка  

Статус детали: в продаже  

Тип IGBT: канальный  

Напряжение - пробой коллектора (макс.): 650 В  

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 90 A  

Ток - коллекторный импульс (Icm): 300 A  

Vce(on) при изменяющемся Vge, Ic (max): 2.1V @ 15V, 75A  

Мощность - макс: 395 Вт  

Энергия переключения: 2,3 мДж (включено), 900 мкДж (выключено)  

Тип входа: стандартный  

Заряд затвора: 160 нК  

Td (включение/выключение) при 25°C: 28ns/174ns  

Условия испытаний: 400 В, 75 А, 8 Ом, 15 В  

Время восстановления обратного хода (trr): 92 нс  

Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)  

Тип монтажа: сквозное отверстие  

Упаковка/корпус: TO-247-3  

Упаковка устройства поставщика: PG-TO247-3 

Если у вас есть какие-либо пожелания, пожалуйста, свяжитесь с г-ном Ченом по телефону:

Тел:+86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Домашняя страница компании: www.hkmjd.com