Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Инструкция по продукту:

CY15B128Q-SXET представляет собой энергонезависимую память 128 кб, использующую передовую сегнетоэлектрическую технологию. F-RAM неметучий и выполняет операции чтения и записи, аналогичные RAM. Он обеспечивает надежное хранение данных в течение 121 года, устраняя при этом сложность, накладные расходы и проблемы надежности на системном уровне, вызванные последовательной флэш-памятью, EEPROM и другой неметучей памятью.

В отличие от последовательной флэш-памяти и EEPROM, CY15B128Q-SXET выполняет операции записи на валовой скорости. Не будет генерировать задержки записи. После успешного передачи каждого байта на устройство, данные сразу же записываются в массив памяти. Следующий цикл шины может начаться без запроса на колесо данных. Кроме того, продукция обладает высокой продолжительностью записи по сравнению с другими невосприимчивыми к хранению. CY15B128Q может поддерживать 1013 циклов чтения/записи или в 10 миллионов раз больше, чем EEPROM.

Эти функции делают CY15B128Q-SXET более подходящим для приложения, которое требует частой или быстрой записи. Примеры включают запись данных (число циклов записи может быть критическим) и жёсткий промышленный контроль (последовательная флешка или длительное время записи EEPROM может привести к потере данных).

Спецификация:

Тип памяти: не легко потерять

Формат памяти: фрейм

Технология: FRAM (ферроэлектрическая RAM)

Вместимость памяти: 128Kb

Ткани памяти: 16K x 8

Интерфейс памяти: SPI

Частота: 33 МГЦ

Напиши циклическое время-слово, страница

Время доступа: 9 нс

Напряжение — электроснабжение: 2,7 V — 3,6 V

Температур работ: - 40 ° C - 125 ° C (та)

Тип установки: тип поверхностной наклейки

Упаковка/оболочка: 8-SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)

Упаковка оборудования поставщика: 8-SOIC

Номер базового продукта: CY15B128

Приложение:

Модуль управления кузовом автомобиля (BCM)

Автомобильная ЭВМ