Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Поставка силовых модулей ON: IGBT-модули, MOSFET-модули, гибридные модули Si/SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. поставляет широкий спектр электронных компонентов, таких как 5G чипы, новые энергетические ИС, IoT ИС, Bluetooth ИС, телематические ИС, автомобильные ИС, ИС автомобильного класса, коммуникационные ИС, ИС искусственного интеллекта, ИС памяти, сенсорные ИС, микроконтроллерные ИС, приемопередающие ИС, Ethernet ИС, WiFi чипы, модули беспроводной связи, разъемы и другие продукты, которые широко используются в автомобилях, средствах связи, компьютерах, бытовой электронике, медицинских приборах, аудио оборудовании, видеодисплеях, системах связи, автомобильных источниках питания и других областях. Компания всегда придерживалась цели «сервис для клиентов, выгода для клиентов», чтобы предоставить клиентам качественные продукты и услуги.

【Модули IGBT】

Модули IGBT используются в тяговом электрооборудовании и в DC-AC каскадах солнечных инверторов, системах хранения энергии, источниках бесперебойного питания и моторных приводах.

【Модули MOSFET】

MOSFET-модули используются в автомобильных приводах и бортовых зарядных устройствах. Они выпускаются с номиналами 40 В, 60 В, 80 В и 650 В с технологией суперперехода и резистором считывания. Помимо шестипакетной, полномостовой и полумостовой топологии, они также доступны в топологии PFC с тотемным столбом.

【Гибридные модули Si/SiC】

Гибридные модули Si/SiC содержат IGBT, кремниевые диоды и диоды SiC. Они используются в DC-AC каскадах солнечных инверторов, системах накопления энергии и источниках бесперебойного питания.

Гибридные модули Si/SiC (карбид кремния/кремний) - это интегрированные IGBT-модули с высокой плотностью мощности. Они имеют более низкие потери на переключение, чем негибридные модули, и могут работать при более высоких температурах, чем другие типы полупроводников.

Гибридные модули Si/SiC имеют несколько вариантов применения, включая использование в мощных приложениях, требующих низких потерь. Они также могут использоваться в более высоких температурных условиях, чем аналогичные модули Si. В системах, требующих высокочастотного переключения, гибридные модули Si/SiC обеспечивают более высокую эффективность.