Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

Первая страница /динамика компании /

INFINEON IPDD60R050G7 600V N-канальные силовые MOSFET транзисторы

INFINEON IPDD60R050G7 600V N-канальные силовые MOSFET транзисторы

Источник:этот сайтвремя:2025-01-09количество просмотров:

INFINEON IPDD60R050G7 600V N-канальные силовые MOSFET транзисторыОписание продукта IPDD60R050G7IPDD60R050G7 600 В CoolMOS™ G7 MOSFET с суперпереходом (SJ) сочетается с иннова…

INFINEON IPDD60R050G7 600V N-канальные силовые MOSFET транзисторы


Описание продукта IPDD60R050G7

IPDD60R050G7 600 В CoolMOS™ G7 MOSFET с суперпереходом (SJ) сочетается с инновационной концепцией охлаждения с верхней стороны, обеспечивая системное решение для сильноточных топологий жесткого переключения, таких как PFC, и высокоэффективное решение для топологий LLC.


Технические характеристики IPDD60R050G7

Полярность транзистора: N-канальный

Количество каналов:1 канал

Vds - напряжение пробоя сток-исток:600 В

Id - непрерывный ток стока:47 A

Rds On - сопротивление сток-исток:50 мОм

Vgs - напряжение затвор-исток:- 20 В, + 20 В

Vgs th - пороговое напряжение источника затвора:3 В

Qg - Заряд затвора:68 нК

Минимальная рабочая температура:- 55 C

Максимальная рабочая температура:+ 150 C

Pd - рассеиваемая мощность:278 Вт

Режим канала:Улучшенный

Конфигурация:одиночный

Время спада:3 нс

Тип изделия:МОП-транзисторы

Время нарастания:6 нс

Типичное время задержки выключения:72 нс

Типовое время задержки включения:22 нс

Вес устройства:763.560 мг


Особенности IPDD60R050G7

Обеспечивает лучшие в своем классе FOM RDS(on) x Eoss и RDS(on) x Qg

Инновационная концепция охлаждения с верхней стороны

Встроенный 4-й вывод источника Кельвина и низкая паразитная индуктивность источника

Возможность TCOB >> 2.000 циклов, совместимость с MSL1 и полное отсутствие Pb.


Преимущества IPDD60R050G7

Обеспечивает высочайшую энергоэффективность

Тепловая развязка платы и полупроводника позволяет преодолеть тепловые ограничения печатной платы

Уменьшенная паразитная индуктивность источника повышает эффективность и простоту использования

Обеспечивает решения с более высокой плотностью мощности

Превосходит самые высокие стандарты качества


Области применения IPDD60R050G7

Телекоммуникации

Сервер

Солнечные батареи

Питание ПК

SMPS

1-фазные струнные инверторы

Распределение питания 48 В

Источники питания на DIN-рейку

Электролиз водорода

Телекоммуникационная инфраструктура


компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler