Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

3 января корейское СМИ Chosun Biz сообщило, что подразделение памяти DS Division компании Samsung Electronics недавно завершило разработку логической микросхемы памяти HBM4; подразделение Foundry Business Unit приступило к пробному производству на основе этой разработки с использованием 4-нм техпроцесса.

Samsung Electronics предоставит образцы разработанной памяти HBM4 клиентам после завершения окончательной проверки производительности логической микросхемы.

В поколении HBM4 из-за ряда факторов, таких как удвоение количества контактов ввода/вывода в стеке памяти и необходимость интеграции большего количества функций, три основных производителя памяти приняли Logic Semiconductor для производства логических микросхем. В поколении HBM4 из-за ряда факторов, таких как удвоение количества контактов ввода-вывода в стеке памяти и необходимость интеграции большего количества функций, три основных производителя памяти используют логические полупроводники для производства логических микросхем.

По словам отраслевых инсайдеров, выделение тепла во время работы - главный враг памяти HBM, а логические чипы в стеке в целом являются основным генератором тепла, поэтому использование передовых процессов для производства логических чипов может помочь улучшить энергоэффективность и производительность HBM4.

Samsung Electronics пытается использовать относительно агрессивный технологический путь в HBM4, чтобы вернуть себе долю рынка памяти HBM, которая была потеряна в поколении HBM3 (E) по причинам качества: помимо использования собственного 4-нм техпроцесса для производства логических микросхем, Samsung Electronics представит DRAM Die в HBM4 по 1с нм техпроцессу и, как ожидается, внедрит технологию гибридного склеивания без неровностей в стеке 16Hi.