Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

Первая страница /динамика компании /

Rohm Карбид кремния MOSFET SCT4062KW7HRTL Тип монтажа на поверхность N-канальный 1200В 24А

Rohm Карбид кремния MOSFET SCT4062KW7HRTL Тип монтажа на поверхность N-канальный 1200В 24А

Источник:этот сайтвремя:2023-07-01количество просмотров:

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd поставляет и приобретает ROHM SiC MOSFET SCT4062KW7HRTL поверхностного монтажа типа N-канальный 1200 В 24A (Tc) 93W TO-263-7LSiC МОП-транзисто…

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd поставляет и приобретает ROHM SiC MOSFET SCT4062KW7HRTL поверхностного монтажа типа N-канальный 1200 В 24A (Tc) 93W TO-263-7L


SiC МОП-транзисторы ROHM 4-го поколения

Серия SCT4 - это 4-е поколение с улучшенным временем устойчивости к короткому замыканию и ультранизким в отрасли сопротивлением включения. По сравнению с предыдущими продуктами, в этой серии сопротивление включения снижено примерно на 40%, а потери при переключении - примерно на 50%. Кроме того, продукт поддерживает более управляемое напряжение затвор-исток 15 В, что облегчает разработку продуктов для приложений.


Описание продукта:

SCT4062KW7HRTL - это силовой МОП-транзистор SiC на 1200 В, 24 А Nch, который использует траншейную структуру для достижения более низкого сопротивления включения и является высоконадежным продуктом автомобильного класса, соответствующим стандартам AEC-Q101.


Характеристики изделия:

Соответствие стандарту AEC-Q101

Низкое сопротивление включения  

Высокая скорость переключения  

Быстрое обратное восстановление  

Простота параллельного подключения Простота управления  

Бессвинцовое покрытие; соответствует RoHS


Атрибуты продукта:

Тип FET: N-канальный  

Технология: SiCFET (карбид кремния)  

Напряжение истока стока (Vdss): 1200 В  

Ток при 25°C - непрерывный ток стока (Id): 24 A (Tc)  

Напряжение питания (макс. Rds On, мин. Rds On): 18 В  

Сопротивление включения (макс.) для различных Id, Vgs: 81 миллиом @ 12A, 18V  

Vgs(th) для различных Id (макс.): 4,8 В при 6,45 мА  

Заряд затвора (Qg) при различных Vgs (макс.): 64 нК @ 18 В  

Vgs (макс.): +21 В, -4 В  

Входная емкость (Ciss) при различных Vds (макс.): 1498 пФ @ 800 В  

Функция FET: -  

Рассеиваемая мощность (макс.): 93 Вт  

Рабочая температура: 175°C (TJ)  

Тип монтажа: поверхностный монтаж  

Упаковка устройства поставщика: TO-263-7L  

Упаковка/корпус: TO-263-8, D²Pak (7 выводов + вкладка), TO-263CA


Если вы заинтересованы, пожалуйста, позвоните г-ну Чену по адресу

Тел: +86 13410018555

E-mail: sales@hkmjd.com

Дом компании: www.hkmjd.com

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler