Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

Первая страница /Профессиональная информация /

Карбидокремниевые МОП-транзисторы ускоряют внедрение в фотовольтаику

Карбидокремниевые МОП-транзисторы ускоряют внедрение в фотовольтаику

Источник:этот сайтвремя:2023-03-15количество просмотров:

15 марта сообщалось, что в последние годы производители фотоэлектрических инверторов все чаще применяют SiC MOSFET. Недавно еще два производи…

15 марта сообщалось, что в последние годы производители фотоэлектрических инверторов все чаще применяют SiC MOSFET. Недавно еще два производителя применили SiC MOSFET в своих инверторах. 30 января немецкая компания KATEK Group объявила, что в ее солнечных инверторах Steca серии coolcept fleX были применены силовые полупроводниковые приборы семейства GeneSiC компании Nano Semiconductors для повышения эффективности при одновременном уменьшении размеров, веса и стоимости. Силовые приборы GeneSiC основаны на технологии trench Технология SiC MOSFET с вспомогательным планарным затвором, которая может работать при высоких температурах и высоких скоростях с увеличением срока службы до трех раз для приложений высокой мощности и быстрого выхода на рынок. 13 января американский производитель Brek Electronics разработал два струнных инвертора с SiC MOSFET для устройств мощностью до 200 кВт и 400 кВт, с КПД устройств до 99% и сокращением среднего времени наработки на отказ.


Силовые устройства на основе SiC (карбида кремния) обеспечивают лучшую эффективность переключения и эффективное тепловыделение. Высоковольтные МОП-транзисторы на основе SiC обладают превосходными характеристиками переключения и работают независимо от температуры, что делает их высокоэффективными в системах подогрева. Кроме того, SiC MOSFET могут похвастаться эффективностью инвертора более 99% при высокой частоте преобразования. Ведущие компании по производству фотоэлектрических инверторов уже начали использовать SiC MOSFET для замены кремниевых устройств, и ожидается, что в средне- и долгосрочной перспективе SiC станет основным производственным материалом для силовых устройств в секторе солнечных фотоэлектрических батарей, что приведет к итеративной модернизации всей промышленной цепи. Исследователи ожидают, что к 2025 году на долю фотоэлектрических инверторов SiC будет приходиться 50% рынка, что ускорит рост спроса на рынке.


Компания Guoxing (002449) представила SiC MOSFETs с преимуществами Si IGBTs, которые имеют более быструю реакцию переключения и меньшие потери. Силовые модули SiC компании могут использоваться в фотоэлектрических инверторах и могут быть изготовлены на заказ в соответствии с требованиями заказчика.


Компания New Clean Energy (605111) выпустила серию SiC MOSFETs, таких как 1200V 60mohm SiC MOSFETs, которые также прошли соответствующие испытания электрических характеристик и оценку надежности, а комплексные характеристики продукции достигли международного передового уровня.


компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler