sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Карбидокремниевые МОП-транзисторы ускоряют внедрение в фотовольтаику
15 марта сообщалось, что в последние годы производители фотоэлектрических инверторов все чаще применяют SiC MOSFET. Недавно еще два производи…
15 марта сообщалось, что в последние годы производители фотоэлектрических инверторов все чаще применяют SiC MOSFET. Недавно еще два производителя применили SiC MOSFET в своих инверторах. 30 января немецкая компания KATEK Group объявила, что в ее солнечных инверторах Steca серии coolcept fleX были применены силовые полупроводниковые приборы семейства GeneSiC компании Nano Semiconductors для повышения эффективности при одновременном уменьшении размеров, веса и стоимости. Силовые приборы GeneSiC основаны на технологии trench Технология SiC MOSFET с вспомогательным планарным затвором, которая может работать при высоких температурах и высоких скоростях с увеличением срока службы до трех раз для приложений высокой мощности и быстрого выхода на рынок. 13 января американский производитель Brek Electronics разработал два струнных инвертора с SiC MOSFET для устройств мощностью до 200 кВт и 400 кВт, с КПД устройств до 99% и сокращением среднего времени наработки на отказ.
Силовые устройства на основе SiC (карбида кремния) обеспечивают лучшую эффективность переключения и эффективное тепловыделение. Высоковольтные МОП-транзисторы на основе SiC обладают превосходными характеристиками переключения и работают независимо от температуры, что делает их высокоэффективными в системах подогрева. Кроме того, SiC MOSFET могут похвастаться эффективностью инвертора более 99% при высокой частоте преобразования. Ведущие компании по производству фотоэлектрических инверторов уже начали использовать SiC MOSFET для замены кремниевых устройств, и ожидается, что в средне- и долгосрочной перспективе SiC станет основным производственным материалом для силовых устройств в секторе солнечных фотоэлектрических батарей, что приведет к итеративной модернизации всей промышленной цепи. Исследователи ожидают, что к 2025 году на долю фотоэлектрических инверторов SiC будет приходиться 50% рынка, что ускорит рост спроса на рынке.
Компания Guoxing (002449) представила SiC MOSFETs с преимуществами Si IGBTs, которые имеют более быструю реакцию переключения и меньшие потери. Силовые модули SiC компании могут использоваться в фотоэлектрических инверторах и могут быть изготовлены на заказ в соответствии с требованиями заказчика.
Компания New Clean Energy (605111) выпустила серию SiC MOSFETs, таких как 1200V 60mohm SiC MOSFETs, которые также прошли соответствующие испытания электрических характеристик и оценку надежности, а комплексные характеристики продукции достигли международного передового уровня.
время:2025-01-11
время:2025-01-11
время:2025-01-11
время:2025-01-10
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: