динамика компании - Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

классификация продукции

Новая информация: динамика компании; Профессиональная информация

Первая страница /динамика компании

Источник питания Trench Power Device IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1 SiC MOSFET, 650 В

Компания Mingjiada поставляет траншейное силовое устройство IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1 650 В SiC MOSFET, совершенно новое и оригинальное, большое количество…

Источник:этот сайт время:2022-08-23 рубрика.динамика компании
Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 SiC MOSFET 1200 В в корпусе TO247-4

Спрос и предложение на новый оригинальный Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200 В карбидокремниевый МОП-транзистор в корпусе TO247-4, Mingjiada производит …

Источник:этот сайт время:2022-08-23 рубрика.динамика компании
Приобретен продукт Infineon IMZ120R140M1HXKSA1 1200 В траншейный SiC MOSFET.

Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd. - это всемирно известная компания по утилизации и переработке электронных компонентов, которая в течении длительно…

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Infineon SiC MOSFET IMZ120R140M1H 1200 В CoolSiC в корпусе TO-247-4

Новая оригинальная продажа Infineon SiC MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4 пакет 1200V CoolSiC

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Поставка TO247-3 корпус IMW120R007M1H, IMW120R007M1HXKSA1 траншейный карбидокремниевый MOSFET

Компания Mingjiada поставляет новый оригинальный корпус TO247-3 IMW120R007M1H, IMW120R007M1HXKSA1 траншейный карбидокремниевый МОП-транзистор

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Питающий транзистор IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200 В 40 мОм CoolSiC™ Trench SiC MOSFET

Транзистор питания Mingjiada IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200 В 40 мОм CoolSiC™ Trench SiC MOSFETМодель продукта: IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1Торговая марка: ИнфинеонНомер лота…

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Импортный оригинальный IMBG120R090M1HXTMA1 1200V CoolSiC™ траншейный SiC MOSFET

Mingjiada Electronics поставляет импортный оригинальный IMBG120R090M1HXTMA1 1200V CoolSiC™ Trench карбид-кремниевый МОП-транзисторМодель продукта: IMBG120R090M1HXTMA1Торго…

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Карбид кремния CoolSiC™ МОП-транзисторы IMBG120R090M1H 1200 В траншейного типа для продажи

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. продает МОП-транзисторы SiC CoolSiC™ IMBG120R090M1H 1200V траншейного типа, только оригинальные, большое количество заводских за…

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Переработка Infineon CoolSiC MOSFET "IMBG65R039M1HXTMA1/IMBG65R039M1H"

Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd. - это всемирно известная компания по утилизации и переработке электронных компонентов, которая в течении длительно…

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Поставка карбида кремния MOSFET транзистор IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET

Новый оригинальный SiC MOSFET-транзистор Mingjiada IMBG65R039M1H 650 В SiC MOSFET в компактном 7-контактном корпусе для поверхностного монтажа, основанный на п…

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Спрос и предложение траншейный карбидокремниевый МОП-транзистор IMZA120R014M1H, IMZA120R014M1HXKSA1

Mingjiada Electronics Co., Ltd. спрос и предложение карбид кремния МОП-транзистор IMZA120R014M1H, IMZA120R014M1HXKSA1 траншейного типа 1200 ВМодель поставки: IMZA120R014M1H, IMZA…

Источник:этот сайт время:2022-08-20 рубрика.динамика компании
Новый оригинальный МОП-транзистор из карбида кремния IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200 В

Компания Mingjiada поставляет новый оригинальный траншейный полевой МОП-транзистор из карбида кремния IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200 В

Источник:этот сайт время:2022-08-20 рубрика.динамика компании

всего 4482 записи«Предыдущая страница 1... 360 361 362 363364365 366 367...374 Следующая страница»

Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

БТИЗ-модуль

фильтр

беспроводное соединение

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Управление питанием

Разъемы

Датчики

Память

Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС

горячие предложения

изготовитель

Новая информация

закупать электрон

сотрудничество

о нас

Источник питания Trench Power Device IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1 SiC MOSFET, 650 В

Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 SiC MOSFET 1200 В в корпусе TO247-4

Приобретен продукт Infineon IMZ120R140M1HXKSA1 1200 В траншейный SiC MOSFET.

Infineon SiC MOSFET IMZ120R140M1H 1200 В CoolSiC в корпусе TO-247-4

Поставка TO247-3 корпус IMW120R007M1H, IMW120R007M1HXKSA1 траншейный карбидокремниевый MOSFET

Питающий транзистор IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200 В 40 мОм CoolSiC™ Trench SiC MOSFET

Импортный оригинальный IMBG120R090M1HXTMA1 1200V CoolSiC™ траншейный SiC MOSFET

Карбид кремния CoolSiC™ МОП-транзисторы IMBG120R090M1H 1200 В траншейного типа для продажи

Переработка Infineon CoolSiC MOSFET "IMBG65R039M1HXTMA1/IMBG65R039M1H"

Поставка карбида кремния MOSFET транзистор IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET

Спрос и предложение траншейный карбидокремниевый МОП-транзистор IMZA120R014M1H, IMZA120R014M1HXKSA1

Новый оригинальный МОП-транзистор из карбида кремния IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200 В

Iсправка

Силовой транзистор STMicroelectronics_STGB19NC60KDT4_Короткое замыкание с защитой IGBT 20 A, 600 В

24-битный, 1-канальный аналоговый фронт-энд ADS1291IPBSR с низким энергопотреблением (AFE)

Переработка электронных компонентов серии инвентаризации тупой материал IC - Mingjiada Electronics

Mingjiada распространяет такие модули, как: связь, IoT, GNSS, новая энергия, AI и RF модули.

рекомендовать продукцию