динамика компании - Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

классификация продукции

Новая информация: динамика компании; Профессиональная информация

Первая страница /динамика компании

Полумостовой автомобильный модуль FF300R08W2P2B11A/FF300R08W2P2B11ABOMA1 750В, 300А IGBT модуль

Mingjiada Electronics Co., Ltd. поставляет импортные оригинальные полумостовые автомобильные модули FF300R08W2P2B11A/FF300R08W2P2B11ABOMA1 750 В, 300 А IGBT.

Источник:этот сайт время:2022-08-24 рубрика.динамика компании
FF08MR12W1MA1B11/FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 Автомобильный MOSFET 1200V Полумостовой модуль

Mingjiada поставляет и перерабатывает автомобильные модули FF08MR12W1MA1B11/FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 Импортные оригинальные заводские запасы Гарантия качества…

Источник:этот сайт время:2022-08-24 рубрика.динамика компании
FF400R07A01E3S6/FF400R07A01E3S6XKSA2 700V 400A двойной автомобильный сертифицированный модуль IGBT

Компания Mingjiada поставляет и перерабатывает автомобильные IGBT-модули "FF400R07A01E3S6/FF400R07A01E3S6XKSA2", совершенно новые и оригинальные, низкая ц…

Источник:этот сайт время:2022-08-23 рубрика.динамика компании
Модули IGBT FS380R12A6T4LB, FS380R12A6T4LBBPSA1 3 независимых 1200В 380А

Infineon представляет автомобильный IGBT-модуль FS380R12A6T4LB 1200 В 380 A с шестью ячейками, модуль драйвера HybridPACK™ с IGBT4 и диодами — силовой модуль, совм…

Источник:этот сайт время:2022-08-23 рубрика.динамика компании
Модуль автомобильного IGBT 1200V 380A FS380R12A6T4B/FS380R12A6T4BBPSA1

Mingjiada Supply & Demand IGBT — биполярный транзистор с изолированным затвором FS380R12A6T4B/FS380R12A6T4BBPSA1 Автомобильный модуль IGBT, 1200 В, 380 А, шестиэлементны…

Источник:этот сайт время:2022-08-23 рубрика.динамика компании
Автомобильный модуль IGBT FF900R12ME7PB11/FF900R12ME7PB11BPSA1 1200V 900A двойной модуль IGBT

Mingjiada поставляет новые оригинальные автомобильные IGBT-модули Infineon Technologies FF900R12ME7PB11/FF900R12ME7PB11BPSA1, 1200 В, 900 А, двойные IGBT-модули.

Источник:этот сайт время:2022-08-23 рубрика.динамика компании
Поставка и покупка SiC MOSFET (IMBF170R1K0M1) IMBF170R1K0M1XTMA1

Шэньчжэньская компания Mingjiada Company поставляет и перерабатывает кремниевый полевой МОП-транзистор из карбида кремния (IMBF170R1K0M1) IMBF170R1K0M1XTMA1 П…

Источник:этот сайт время:2022-08-23 рубрика.динамика компании
Источник питания Trench Power Device IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1 SiC MOSFET, 650 В

Компания Mingjiada поставляет траншейное силовое устройство IMW65R107M1H_IMW65R107M1HXKSA1 650 В SiC MOSFET, совершенно новое и оригинальное, большое количество…

Источник:этот сайт время:2022-08-23 рубрика.динамика компании
Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 SiC MOSFET 1200 В в корпусе TO247-4

Спрос и предложение на новый оригинальный Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200 В карбидокремниевый МОП-транзистор в корпусе TO247-4, Mingjiada производит …

Источник:этот сайт время:2022-08-23 рубрика.динамика компании
Приобретен продукт Infineon IMZ120R140M1HXKSA1 1200 В траншейный SiC MOSFET.

Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd. - это всемирно известная компания по утилизации и переработке электронных компонентов, которая в течении длительно…

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Infineon SiC MOSFET IMZ120R140M1H 1200 В CoolSiC в корпусе TO-247-4

Новая оригинальная продажа Infineon SiC MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4 пакет 1200V CoolSiC

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании
Поставка TO247-3 корпус IMW120R007M1H, IMW120R007M1HXKSA1 траншейный карбидокремниевый MOSFET

Компания Mingjiada поставляет новый оригинальный корпус TO247-3 IMW120R007M1H, IMW120R007M1HXKSA1 траншейный карбидокремниевый МОП-транзистор

Источник:этот сайт время:2022-08-22 рубрика.динамика компании