sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:BGT60ATR24CE6327XTMA1
Руководство по данным:BGT60ATR24CE6327XTMA1.pdf
бренд:INFINEON
год выпуска:23+
пакет:PG-VFWLB-76-1
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 3000
Радиолокационные сенсоры класса BGT60ATR24CE6327XTMA1 реализуют модуляцию частот 60 ГГЦ (FMCW) в режиме гиперширокополосной модуляции (FMCW) и используют небольшие инкапсуляции. BGT60ATR24C был разработан для обнаружения места в салоне (сканирование кабины для сканирования людей и животных). Реализация конфигурации сенсоров и сбора данных через цифровой интерфейс. Интегральная машина состояния поддерживает независимый сбор данных с оптимизированной функцией модели мощности, которая может достичь низкого энергопотребления.
Правила:
• максимальный уровень ввода мощности на rf: +10dBm
* диапазон частот: 58,0 ГГЦ — 62,ггц
* диапазон частот сравнения системы: от 75MHz до 85mz
• доля пустующих пределов: от 45 до 55%
• время подъёма и снижения: 6 нс (максимум)
* типичные колебания фаз: 1ps
* классическое тепловое сопротивление: 44,2 K/W
• ESD
- минус 2000V манекен (HBM)
- модель зарядного устройства: минус 750V
• температурный диапазон
- был тепл: - 40 ° C до + 145 ° C
- хранен температурн диапазон: - 40 ° C до 150 ° + C
- чип сзад: - 40 ° C до + 105 ° C
Приложение:
Радиолокационный фронт, используется для передачи жестов
Радар с высоким разрешением FMCW
Сенсорная работа на коротких расстояниях
Скрытое сенсорное приложение за антенным щитом
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
ON
QFN-28
3000
Кремниевые фотоумножители (SiPM) с БИК-усилением для автомобильных LiDAR-приложений
INFINEON
PG-VF2BGA-28
3000
радарный датчик 60 ГГц, антенна в корпусе (AIP) с углом обзора ±60°
INFINEON
119-WFBGA
2000
Радарный датчик XENSIV™ 60 ГГц для расширенного зондирования
INFINEON
42-BGA
2000
Первый полностью автономный радарный датчик XENSIV™ 60 ГГц для обнаружения движения
INFINEON
42-UFBGA
1000
Радиолокационный датчик с низким энергопотреблением IC RF 60 ГГЦ, встроенная антенна 42-UFBGA
INFINEON
42-UFBGA
1000
Радиолокационный датчик с низким энергопотреблением IC RF 60 ГГЦ, встроенная антенна 42-UFBGA
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Infineon Technologies была официально основана 1 апреля 1999 года в Мюнхене, Германия, и является одной из ведущих мировых компаний по производству по…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
TC1791 - это высокопроизводительный микроконтроллер с процессором TriCore, памятью программ и данных, шиной, шинным арбитражем, контроллером пр…AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H: Карбид кремния CoolSiC™ MOSFET - 750 В CoolSiC™ автомобильный MOSFET транзисторМодель: AIMZA75R008M1HУпаковка: PG-TO247-4Тип: Автомобильный МОП-транзистор…FF2600UXTR33T2M1
FF2600UXTR33T2M1: Карбидокремниевые MOSFET модули - 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2600UXTR33T2M1 - полумостовой модуль XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3,3 кВ, 2,5 мОм с технол…FF2000UXTR33T2M1
FF2000UXTR33T2M1 (Модули MOSFET из карбида кремния): 3,3 кВ, CoolSiC™ MOSFET Half Bridge Module Обзоры:FF2000UXTR33T2M1 - XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET полумостовой модуль 3,3 кВ, 1,9 мОм с технол…IMBG120R034M2H
IMBG120R034M2H представляет собой дискретный 1200 V G2 CoolSiC MOSFET в упаковке TO-263-7. CoolSiC MOSFET INFINEON основан на первоклассной технологии траншейных полупр…IPQC60T010S7A
IPQC60T010S7A представляет собой мощный MOSFET 600 V CoolMOS S7TA, предназначенный для удовлетворения особых требований к автомобильным электронным комп…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: