sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:MT28FW512ABA1HJS-0AAT
Руководство по данным:MT28FW512ABA1HJS-0AAT.pdf
бренд:Micron
год выпуска:23+
пакет:TSOP-56
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 1159
MT28FW512ABA1HJS-0AAT Это устройство поддерживает асинхронное случайное чтение и постраничное чтение из всех блоков массива. Кроме того, в нем имеется внутренний программный буфер, который можно запрограммировать на 512 слов за одну последовательность команд для увеличения пропускной способности. 512-словный блок расширенной памяти перекрывает адрес блока 0 массива. Пользователь может запрограммировать дополнительный 512-словный блок памяти за одну последовательность команд для увеличения пропускной способности. Пользователь может запрограммировать это дополнительное пространство, а затем защитить его, чтобы навсегда защитить его содержимое. В устройстве также предусмотрены различные уровни аппаратной и программной защиты для предотвращения нежелательных модификаций блока памяти.
Функция автоматического энергосбережения
Функция автоматического энергосбережения обеспечивает низкое энергопотребление во время чтения.
После считывания из массива памяти, когда адресные линии находятся в состоянии покоя, функция автоматического энергосбережения снижает ток устройства до низкого значения ICCAPS.
В режиме автоматического энергосбережения средний ток измеряется в течение 5 мс. Средний ток измеряется в течение интервала 5 мкс после наступления следующих событий:
- Не происходит внутренних операций чтения, программирования или стирания
- RST# выключен, а CE# включен
- Все остальные сигналы находятся в состоянии покоя и в положении VSS или VCCQ.
Атрибуты устройства MT28FW512ABA1HJS-0AAT
Категория изделия: NOR Flash
Стиль монтажа: SMD/SMT
Упаковка/корпус: TSOP-56
Семейство: MT28FW
Объем памяти: 512 Мбит
Напряжение питания - минимальное: 2,7 В
Напряжение питания - макс: 3,6 В
Активный ток чтения (макс.): 50 мА
Тип интерфейса: параллельный
Организация: 32 M x 16
Ширина шины данных: 16 бит
Тип синхронизации: асинхронная
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 105 C
Скорость: 105 нс
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Winbond
USON-8
50000
Последовательная флэш-память 8 Мбит 1,8 В с равномерными секторами по 4 КБ и двойным/четверным SPI
Renesas
SOIC-8
24000
8 Мбит, диапазон от 1,7 В до 3,6 В Последовательная флэш-память SPI
INFINEON
FBGA-64
2000
ИС FLASH - NOR памяти 256 Мб параллельно 100 нс 64-FBGA (9x9)
MXIC
TSOP-56
9900
NOR флэш параллельная NOR 3V 512Mbit x16 I/O TSOP-56 Защита нижнего сектора VIO
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
Micron — всемирно известный поставщик решений для полупроводниковой памяти. Решения компании в области памяти используются в компьютерах и…
MT54A16G8080A00AC-32:A
MT54A16G8080A00AC-32:A - это высокопроизводительная сборка памяти HBM2E (High Bandwidth Memory 2nd Enhanced).M29F800FB5AN6E2
M29F800FB5AN6E2 - это 8-мегабитная (1M x 8) параллельная микросхема NOR Flash с питанием 5 В, обеспечивающая надежное хранение данных для широкого спектр…MT61K512M32KPA-14C:B
MT61K512M32KPA-14C:B GDDR6 SGRAM - это высокоскоростная память с динамическим произвольным доступом, предназначенная для приложений, требующих высокой…MT61K512M32KPA-21:U
MT61K512M32KPA-21: U - это чип памяти производства (Micron) с емкостью памяти 16 Гбит. Благодаря своей высокой производительности и надежности, он широк…MT61K512M32KPA-24:U
MT61K512M32KPA-24: U - это динамический IC с произвольным доступом, произведенный Micron, который подходит для электронных устройств, требующих высоко…MT61M256M32JE-12 AAT:A
MT61M256M32JE-12 AAT:A - это память динамического произвольного доступа (DRAM) стандарта GDDR6.контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: