sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:ESD8011MUT5G
Руководство по данным:ESD8011MUT5G.PDF
бренд:ON
год выпуска:21+
пакет:X3DFN-2
срок поставки:новый оригинальный
количество запасов: 3000
Диод ESD8011MUT5G предназначен для защиты высокоскоростных линий данных от электростатического разряда. Ультранизкая емкость и низкое напряжение ESD-захвата делают это устройство идеальным решением для защиты чувствительных к напряжению высокоскоростных линий данных.
Спецификация
Категория продукта: ESD Suppressor/TVS Diode
Полярность: двунаправленный
Количество каналов: 1 канал
Рабочее напряжение: 5,5 В
Тип заделки: SMD/SMT
Напряжение зажима: 19 В
Напряжение пробоя: 7,3 В
Упаковка / корпус: X3DFN-2
Ipp - пиковый импульсный ток: 16 A
Пиковая потребляемая импульсная мощность (Pppm): 34 Вт
Cd - емкость диода: 0,1 пФ
Vesd - напряжение электростатического разряда на контактах: 20 кВ
Vesd - напряжение электростатического разряда воздушного зазора: 20 кВ
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Серия: ESD8011
Рабочее напряжение питания: 5,5 В
Вес устройства: 0,280 мг
Типовые приложения
USB 3.x
MHL 2.0
SATA/SAS
PCI Express
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
Littelfuse
SMTO-218
3000
150V, модифицированный SMTO- 2kA поверхностный временно подавленный диод внутри SMTO-218
Littelfuse
DO-214AB-2
3500
Низкоемкостные TVS-диоды мощностью 1500 Вт, поверхностный монтаж, DO-214AB-2
WILLSEMI
DFN1006-2L
10000
Однолинейный, двунаправленный, с нормальной емкостью, Подавитель переходного напряжения
AMAZING
DFN0603
12000
Подавители переходного напряжения для защиты от электростатических разрядов/переходных процессов
TI
X1SON-2
40000
Диод ESD защиты автомобильного класса 10пФ, ±9В, ±20кВ в корпусе 0402
ON
DFN
138189
ESD-защита с ультранизкой емкостью для высокоскоростных линий передачи данных
ON
UDFN-10
36693
низкоконденсаторный защитный диод для высокоскоростных линий передачи данных
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PG - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET с сопротивлением 20 мОм 1200 В и термистор NTC в модуле F1.Характеристика NXH020P120MNF1PGПолумо…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFL - это модуль Motion SPM 3, который обеспечивает полнофункциональную, высокопроизводительную выходную ступень инвертора для двигател…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
AP0101AT2L00XPGA0-DR2 - это специализированный сопроцессор автомобильных изображений, способный реализовать гибкую платформу камеры с использова…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3S представляет собой 650V карбид кремния (SiC) MOSFET. Новая серия 650V M3S Planar SiC MOSFET оптимизирована для применения быстрого переключения. Пл…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3S представляет собой плоский SiC MOSFET EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S. Этот 650V карбид кремния (SiC) MOSFET обеспечивает отличные характеристики переключ…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3S представляет собой новое устройство серии 650V M3S Planar SiC MOSFET, оптимизированное для применения быстрого переключения. Плоская техно…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: