sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
наименование товара:NCV7342MW3R2G
Руководство по данным:NCV7342MW3R2G.pdf
бренд:ON
год выпуска:23+
пакет:8-VDFN
срок поставки:Новый оригинал.
количество запасов: 2000
Трансивер NCV7342MW3R2G CAN является интерфейсом между контроллером протокола сети контроллеров и физической шиной и может использоваться как в системах 12 В, так и 24 В.
Характеристики
Совместимость со стандартами ISO 11898-2, ISO 11898-5
Высокая скорость (до 1 Мбит/с)
Вывод VIO в версии NCV7342-3 позволяет напрямую взаимодействовать с микроконтроллерами с напряжением от 3 до 5 В
Вывод VSPLIT в версии NCV7342-0 для стабилизации общего режима шины
Очень низкое потребление тока в дежурном режиме с пробуждением по шине viathe
Отличный уровень электромагнитной восприимчивости (EMS) во всем диапазоне частот. Очень низкое электромагнитное излучение (EME) LowEME также без дросселя общего режима (CM)
Выводы шины защищены от импульсов ESD напряжением >15 кВ
Функция доминирующего тайм-аута передачи данных (TxD)
Функция доминирующего тайм-аута шины в режиме ожидания
При любых условиях питания чип ведет себя предсказуемо
Отсутствие помех на линиях шины при использовании узла без питания
Тепловая защита
Защита выводов шины от переходных процессов в автомобильной среде
Шинные контакты защищены от короткого замыкания на напряжение питания и землю
Это устройства, не содержащие Pb
Области применения
Автомобильные
Промышленные сети
модель
фирменный торговец
упаковка
количество
описание
INFINEON
PG-DSO-8
3000
Высокоскоростной CAN-FD передатчик для использования в автомобилях и промышленности
INFINEON
SSOP-14
1000
Высокоскоростной CAN-трансивер со скоростью передачи данных до 8 Мб/с
Maxim
SOIC-8
5000
Высокоскоростной CAN-трансивер промышленного стандарта с защитой от сбоев ±80 В
ADI
DFN-8
4500
3,3 В или 5 В 25 кВ ESD Высокоскоростной CAN-трансивер с защитой от сбоев ±60 В
Ответ: все онлайновые товары, размещенные на верхней полке, могут быть размещены в режиме онлайн, но с учетом относительной ликвидности существующих запасов, в настоящее время не может быть 100% точности. В случае аномалии вы можете связаться с моей компанией в интернете и предложить соответствующее решение.
Ответ: все наши товары, производимые самостоятельно, поступают от сотрудничающих отечественных и зарубежных предприятий или уполномоченных агентов, происхождение которых отслеживается, чтобы убедиться в том, что они являются подлинными.
Ответ: в настоящее время наша собственноручная торговая марка включает в себя такие торговые марки, TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX ит.д., другие каналы являются оригинальными заводами и агентскими каналами. при необходимости мы можем установить связь с конкретными типами марок.
Ответ: Вы можете задать вопрос через веб-сайт или по телефону и электронной почте.
Ответ: большая часть товарной информации имеет маркировку периода, вы можете оценить время отправки товара в соответствии с грузом, конкретное время прибытия зависит от конкретного склада товара, выбранный вами способ логистики.
Ответ: индивидуальные пользователи могут выставлять обычные счета - фактуры или специальные счета - фактуры по НДС.
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) — ведущий поставщик высокопроизводительных кремниевых решений для энергоэффективной электроники.Ассортимент продукци…
NXH040F120MNF1PG
NXH040F120MNF1PG: Модуль из карбида кремния (SiC) - 1200 В, 40 мОм, SiC MOSFET ModuleМодель: NXH040F120MNF1PGУпаковка: PIM-22Тип: Модуль из карбида кремния (SiC) - SiC MOSFET модуль…NVMJD010N10MCL
NVMJD010N10MCL (MOSFET-транзистор низкого/среднего напряжения): 100 В, 10 мОм, 62 А, 2N-канальный, автомобильный силовой MOSFET-транзисторМодель: NVMJD010N10MCLУпа…NVXK2VR40WXT2
NVXK2VR40WXT2: Карбид Кремния (SiC) Модуль - 1200 В трехфазный мостовой силовой модульНомер модели: NVXK2VR40WXT2Упаковка: APM-32Тип: Карбид Кремния (SiC) Модул…FGY140T120SWD
FGY140T120SWD (IGBT-транзистор): 1200 В, 140 А, полевой стоп VII (FS7) быстрый дискретный IGBT в силовом корпусе TO247-3LМодель: FGY140T120SWDУпаковка: TO-247-3Тип: IGBT транз…NVHL045N065SC1
NVHL045N065SC1: 650 В, 32 мОм, карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор, TO-247-3Модель: NVHL045N065SC1Корпус: TO-247-3Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзисторNVHL045N065SC1 - Техни…NVHL025N065SC1
NVHL025N065SC1: 650 В, 25 мОм, N-канальный - EliteSiC, карбид кремния (SiC) MOSFET транзисторМодель: NVHL025N065SC1Упаковка: TO-247-3Тип: Карбид кремния (SiC) MOSFET транзистор…контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: