Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Интегральная схема интерфейса RS-232 Усилитель видео Приемопередатчик CAN Процессор управления сервером переключатель шины дифференциальный усилитель Аналоговый переключатель перекрестных точек Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер трансимпедансный усилитель Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Микросхемы беспроводной связи Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Биполярные (BJT) транзисторы Карбид кремния (SiC) JFET Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер наддува Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Обжимной проводной разъем Коннектор Nearstack ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности

Датчики

акселерометр Магнитно-резистивные датчики Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Сеть резисторов

Первая страница /саморазгружающаяся продукция

бренд:

без ограничения Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel YITOA Ai-Thinker NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec Semiconductor SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

рисунок продукции

тип

марка

описание параметров

количество заказа

запасы

количество покупки

единичная цена

операция

TPS628501QDRLRQ1

TPS628501QDRLRQ1

TI

Produktbeschreibung:Бак-преобразователь автомобильного класса с напряжением 2,7 В на 6 В, 1 А в корпусе SOT-5X3-8

пакет:SOT-5X3-8
10 шт.
4000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
LB11600JV-TLM-E

LB11600JV-TLM-E

ON

Produktbeschreibung:Драйвер двигателя ШИМ 4,5В-14В 30-SSOP

пакет:SSOP-30
10 шт.
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
PAFSC5G35E37R9

PAFSC5G35E37R9

NXP

Produktbeschreibung:Модуль усилителя мощности 5G/LTE, разработанный для устройств связи 5G и LTE

пакет:HLQFN-26
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
TJA1043T

TJA1043T

NXP

Produktbeschreibung:Высокоскоростной CAN-трансивер с режимами ожидания и сна

пакет:SOP-14
10 шт.
40000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGHU30M65DF2AG

STGHU30M65DF2AG

ST

Produktbeschreibung:IGBT серии M с низкими потерями для отсечки траншейного решетчатого поля класса 650 В, 30 А

пакет:HU3PAK-7
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGWA60V60DF

STGWA60V60DF

ST

Produktbeschreibung:IGBT для отключения поля траншеи сверхвысокой скорости 600 В, 60 А

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGWA60H65DFB

STGWA60H65DFB

ST

Produktbeschreibung:Высокоскоростная траншейная решетка 650В, 60А с отсекой HB серии IGBT

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGWA40M120DF3

STGWA40M120DF3

ST

Produktbeschreibung:IGBT серии M с низкими потерями для отсечки поля траншеи 1200 В, 40 А

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGW8M120DF3

STGW8M120DF3

ST

Produktbeschreibung:IGBT серии M с низкими потерями для отсечки поля траншеи 1200 В, 8 А

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGW40H65DFB

STGW40H65DFB

ST

Produktbeschreibung:Высокоскоростная траншейная решетка HB серии IGBT 650V, 40A

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGW40H120DF2

STGW40H120DF2

ST

Produktbeschreibung:Высокоскоростной IGBT серии H с закрытием поля траншеи 1200 В, 40 А

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGW30V60DF

STGW30V60DF

ST

Produktbeschreibung:IGBT серии V для отсечки поля траншеи сверхвысокой скорости 600 В, 30 А

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGW10M65DF2

STGW10M65DF2

ST

Produktbeschreibung:Транзистор IGBT с отсечкой поля траншейных ворот, серия M, 650 В, 10 А, низкие потери

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STGW30NC120HD

STGW30NC120HD

ST

Produktbeschreibung:Однотрубная сверхбыстрая PowerMESH IGBT с каналом N 1200 В, 30 А

пакет:TO-247-3
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STM32G051G8U3

STM32G051G8U3

ST

Produktbeschreibung:Микроконтроллер ARM ® Cortex ® -M0 + STM32C0

пакет:28-UFQFPN
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
STM32C051K8U6

STM32C051K8U6

ST

Produktbeschreibung:Микроконтроллер ARM ® Cortex ® -M0 + STM32C0

пакет:32-UFQFPN
10 шт.
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
запрашивать ценуконтраст
всего 53735 записи«Предыдущая страница1... 159160161162163164165166...3359Следующая страница»
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler